SiC MOSFET-易亚半导体技术（深圳）有限公司

SiC MOSFET

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性，提供了比传统硅基MOSFET更优越的性能。SiC MOSFET因其高频、高耐压、低导通损耗等显著优势，被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、智能电网等领域，正在成为推动电子行业进步的重要力量。

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产品名	封装	Vds M	Id (A)	Rdson@Vgs=15V Typ Max (mΩ) (mΩ)		Rdson@Vs=18V Typ Max (mΩ) (mΩ)	Rdson@Vgs=20V Typ Max (mΩ) (mΩ)		Vgs(TH) Min Max (V) (V)		QG Ciss Typ Typ (nC) (pF)


YAM65060G1	TO-247	650	37			60	52	70	2	4	68	1190
YAM65060H1	TO-247-4L	650	37			60	52	70	2	4	68	1190
YAM65060N1	TO-263-7L	650	37			60	52	70	2	4	68	1190
YAM65060H2	TO-247-4L	650	37	60	79				1.8	3.6	45	1100
YAM65045G1	TO-247	650	49			45	33	48	2	4	95	1820
YAM65045H1	TO-247-4L	650	49			45	33	48	2	4	95	1820
YAM65045N1	TO-263-7L	650	49			45	33	48	2	4	95	1820
YAM65025G1	TO-247	650	97			25	20	28	2	4	173	3277
YAM65025H1	TO-247-4L	650	97			25	20	28	2	4	173	3277
YAM120160K1	TO-220F	1200	18			160	140	180	2	4	59	667
YAM120160H1	TO-247-4L	1200	18			160	140	180	2	4	59	667
YAM120160G1	TO-247	1200	18			160	140	180	2	4	59	667
YAM120160N1	TO-263-7L	1200	18			160	140	180	2	4	59	667
YAM120080G1	TO-247	1200	36			80	64	85	2	4	105	1372
YAM120060G1	TO-247	1200	36			60			3	6	31	1060
YAM120080H1	TO-247-4L	1200	36			80	64	85	2	4	105	1372
YAM120040G1	TO-247	1200	55			40	33	45	2	4	193	2650
YAM120040H1	TO-247-4L	1200	55			40	33	45	2	4	193	2650
YAM120017G1	TO-247	1200	118			17	15	20	2	4	373	6891
YAM120017H1	TO-247-4L	1200	118			17	15	20	2	4	373	6891
YAM120013H1	TO-247-4L	1200				13
YAM120160G2	TO-247	1200	17	160	208				1.8	3.6	36	659
YAM120160H2	TO-247-4L	1200	17	160	208				1.8	3.6	36	659
YAM120040G2	TO-247	1200	66	40	54				1.8	3.6	109	2729
YAM120040H2	TO-247-4L	1200	66	40	54				1.8	3.6	109	2729
YAM120017H2	TO-247-4L	1200	115	17	23				1.8	3.6	61	1406
YAM120075H2	TO-247-4L	1200	32	75	90				1.8	3.6	61	1406
YAM120075N2	TO-263-7L	1200	32	75	90				1.8	3.6	61	1406
YAM120075G2	TO-247	1200	32	75	90				1.8	3.6	61	1406