GaN HEMT
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种基于氮化镓（GaN）材料的高性能场效应晶体管。GaN HEMT因其高效率、高频率和小尺寸的特点，被广泛应用于5G通信、卫星通讯、高效电源转换等关键领域，随着技术的不断进步和市场的不断扩大，GaN HEMT的未来发展前景将更加广阔。
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| 产品名 | 封装 | Vds (V) |
ld (A) |
Rdson Typ (mΩ) |
Qg Typ (nC) |
Qrr Typ (nC) |
Vgs th Min Typ Max (V) (V) (V) |
||
| YAG65C180G1 | DFN8*8-8L | 650 | 14 | 180 | 1.6 | 1.7 | 1.8 | ||
| YAG65C120F1 | DFN8*8-2L | 650 | 18 | 120 | 21 | 26 | 3 | 4 | 5 |
| YAG65C180F1 | DFN8*8-2L | 650 | 14 | 180 | |||||
| YAG65C230F1 | DFN8*8-2L | 650 | 11 | 230 | 12 | 38 | 1.1 | 1.8 | 2.5 |
| YAG65C300F1 | DFN8*8-2L | 650 | 9 | 240 | 6.1 | 22.4 | 3 | 4 | 5 |
| YAG65C035J1 | TOLL | 650 | 35 | ||||||
| YAG65C050J1 | TOLL | 650 | 50 | ||||||
| YAG65C070J1 | TOLL | 650 | 70 | ||||||
| YAG65C090J1 | TOLL | 650 | 90 | ||||||
| YAG65C125A1 | TO-252 | 650 | 25 | 125 | 12 | 38 | 1.1 | 1.8 | 2.5 |
| YAG65C300A1 | TO-252 | 650 | 9 | 300 | 5.5 | 31 | 1.1 | 1.8 | 2.5 |
| YAG65C480A1 | TO-252 | 650 | 5 | 480 | 5.5 | 21 | 1.1 | 1.8 | 2.5 |
| YAG65C720A1 | TO-252 | 650 | 3.8 | 720 | 5.5 | 18 | 1.1 | 1.8 | 2.5 |
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