氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料，具有宽带隙、高电子迁移率、高开关频率、低导通电阻、耐高压和耐高温等特性。这些特性使得GaN在服务器电源中能够提供更高的功率密度、更高的效率和更低的能耗。