氮化镓是一种宽带隙半导体材料，具有高电子迁移率和低电容特性，使其在功率电子和射频领域表现出色
。GaN充电器以其更小的体积和更高的功率密度迅速占领市场，相比传统硅基功率器件，氮化镓器件能够实现更高的开关频率，有效降低充电器的尺寸和重量，同时保证更高的能效。